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采用ST F7 LV MOSFET技术的单片肖特基二极管:提高应


作者:admin 时间:2017-05-21 访问:


当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时,体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时,集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。

I.前言

在同步整流和电桥结构中,RDSon 和 Qg 两个参数并不是对功率MOSFET管的唯一要求,实际上,本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大。体漏二极管的正向压降(VF,diode)影响开关管在续流期间(开关管处于关断状态,电流从源极经本征二极管流至漏极)的功率损耗 ; 反向恢复电荷 (Qrr) 不仅影响开关管在反向恢复过程的损耗,还影响开关性能。MOSFET 管的尖峰电压随着Qrr升高而升高。因此,VFD 和Qrr较低的二极管,例如,肖特基二极管,有助于提高开关管的总体性能,在电桥拓扑或用作同步整流管应用中,当开关频率很高且二极管长时间导通时,提升性能的效果特别明显。本文将在开关电源和电机控制环境中评估内置肖特基二极管的新60 V ST MOSFET管的性能,并对比标准器件,重点论述新产品的优势。

II.MOSFET本征体漏二极管和肖特基二极管特性

图1所示是一个N沟道功率MOSFET管的典型符号。本征体漏二极管由p-body和n--drift两个区组成,如下图所示,体漏二极管与MOSFET管的导电沟道并联。